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IDT7M4017S35C

更新时间: 2024-11-05 20:33:23
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 324K
描述
SRAM Module, 64KX32, 35ns, CMOS, CDIP60

IDT7M4017S35C 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T60JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:32端子数量:60
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX32
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP60,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:6
Base Number Matches:1

IDT7M4017S35C 数据手册

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