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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 45 ns | 其他特性： | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CDMA-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.122 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.32 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M4042S55C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX4, 55ns, CMOS, CDMA28 |
|
| IDT7M4042S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX4, 55ns, CMOS, CDMA28 |
|
| IDT7M4042S65C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX4, 65ns, CMOS, CDMA28 |
|
| IDT7M4042S65CB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM Module |
|
| IDT7M4042S80C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX4, 80ns, CMOS, CDMA28 |
|
| IDT7M4042S80CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX4, 80ns, CMOS, CDMA28 |
|
| IDT7M4048L100CB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| IDT7M4048L120CB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| IDT7M4048L120N | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS |
|
| IDT7M4048L17CB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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