是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDMA-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.122 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.32 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M4042S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX4, 55ns, CMOS, CDMA28 | |
IDT7M4042S65C | IDT |
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SRAM Module, 256KX4, 65ns, CMOS, CDMA28 | |
IDT7M4042S65CB | ETC |
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x4 SRAM Module | |
IDT7M4042S80C | IDT |
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SRAM Module, 256KX4, 80ns, CMOS, CDMA28 | |
IDT7M4042S80CB | IDT |
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SRAM Module, 256KX4, 80ns, CMOS, CDMA28 | |
IDT7M4048L100CB | ETC |
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x8 SRAM Module | |
IDT7M4048L120CB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module | |
IDT7M4048L120N | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS | |
IDT7M4048L17CB | ETC |
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x8 SRAM Module | |
IDT7M4048L20CB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |