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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T60 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP60,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M4017S40C | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| IDT7M4017S40CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX32, 40ns, CMOS, CDIP60 |
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| IDT7M4017S40CM | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX32, 40ns, CMOS, CDIP60 |
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| IDT7M4017S45C | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
|
| IDT7M4017S45CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX32, 45ns, CMOS, CDIP60 |
|
| IDT7M4017S50C | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| IDT7M4017S50CB | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| IDT7M4017S60C | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| IDT7M4017S60CB | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| IDT7M4017S70C | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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