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IDT71V632S7PFG8

更新时间： 2024-11-07 15:34:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	282K
描述
Cache SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V632S7PFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.24
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)：	66 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX32
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V632S7PFG8 数据手册

64K x 32

3.3VSynchronousSRAM

PipelinedOutputs

IDT71V632/Z

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

withfullsupportofthePentium™andPowerPC™processorinterfaces.

Thepipelinedburstarchitectureprovidescost-effective3-1-1-1second-

ary cache performance for processors up to 117MHz.

The IDT71V632 SRAM contains write, data, address, and control

registers. InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwrite

baseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheextremeendofthewrite

cycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

system designer, as the IDT71V632 can provide four cycles of data for

asingleaddresspresentedtotheSRAM.Aninternalburstaddresscounter

acceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingtheaccess

sequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforonecyclebefore

it is available on the next rising clock edge. If burst mode operation is

selected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutputdatawillbe

availabletotheuseronthenextthreerisingclockedges.Theorderofthese

threeaddresseswillbedefinedbytheinternalburstcounterandtheLBO

inputpin.

◆

64K x 32 memory configuration

◆

Supports high system speed:

Commercial:

– A4 4.5ns clock access time (117 MHz)

CommercialandIndustrial:

– 5 5ns clock access time (100 MHz)

– 6 6ns clock access time (83 MHz)

– 7 7ns clock access time (66 MHz)

◆

Single-cycle deselect functionality (Compatible with

Micron Part # MT58LC64K32D7LG-XX)

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

◆

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

Operates with a single 3.3V power supply (+10/-5%)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin rectangular plastic

◆

thin quad flatpack (TQFP).

TheIDT71V632SRAMutilizesIDT'shigh-performance,high-volume

3.3V CMOS process, and is packaged in a JEDEC Standard 14mm x

20mm100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)foroptimumboarddensity

inbothdesktopandnotebookapplications.

Description

TheIDT71V632isa3.3Vhigh-speedSRAMorganizedas64Kx32

PinDescriptionSummary

–A15

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

0, CS

Chips Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW1, BW2, BW3, BW

CLK

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O

–I/O31

DD, VDDQ

SS, VSSQ

Data Input/Output

3.3V

Power

Array Ground, I/O Ground

N/A

3619 tbl 01

PentiumprocessorisatrademarkofIntelCorp.

PowerPCisatrademarkofInternationalBusinessMachines,Inc.

MAY 2010

DSC-3619/07

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V632S7PFGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V632S7PFI	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632S7PFI8	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632S8PF	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632S8PF8	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632SA4PF	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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IDT71V632ZS6PFI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V632ZS7PF	IDT	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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