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IDT71V633S12PF

更新时间： 2024-11-22 22:10:35

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艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	270K
描述
64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT71V633S12PF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, MO-135DJ, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	最长访问时间：	12 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	50 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX32
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	14 mm

IDT71V633S12PF 数据手册

IDT71V633

64K x 32

3.3VSynchronousSRAM

Flow-ThroughOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

◆

64K x 32 memory configuration

tectureprovidescost-effective2-1-1-1performanceforprocessorsupto

50 MHz.

◆

Supports high performance system speed

Commercial:

— 11 11ns Clock-to-Data Access (50 MHz)

CommercialandIndustrial:

— 12 12ns Clock-to-Data Access (50 MHz)

Single-cycle deselect functionality (Compatible with

TheIDT71V633SRAMcontainswrite,data-input,addressandcontrol

registers. There are no registers in the data output path (flow-through

architecture).InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwrite

baseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheextremeendofthewrite

cycle.

◆

Micron Part # MT58LC64K32B2LG-XX)

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

Single 3.3V power supply (+10/-5%)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin rectangular plastic

thin quad flatpack (TQFP).

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner, as the IDT71V633canprovide fourcycles ofdata for

a single address presented to the SRAM. An internal burst address

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillflow-throughfromthe

arrayafteraclock-to-dataaccesstimedelayfromtherisingclockedgeof

the same cycle. If burst mode operation is selected (ADV=LOW), the

subsequentthreecyclesofoutputdatawillbeavailabletotheuseronthe

nextthreerisingclockedges. Theorderofthesethreeaddresseswillbe

definedbytheinternalburstcounterandtheLBOinputpin.

TheIDT71V633SRAMutilizesIDT'shigh-performance3.3VCMOS

process,andispackagedinaJEDECStandard14mmx20mm100-pin

thinplasticquadflatpack(TQFP).

◆

Description

TheIDT71V633is a3.3Vhigh-speed2,097,152-bit(2-Mbit)SRAM

organizedas 64Kx32withfullsupportofvarious processorinterfaces

includingthePentium™andPowerPC™.Theflow-throughburstarchi-

PinDescription

A –A

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS , CS

Chips Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

BWE

Individual Byte Write Selects

Clock Input

BW –BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O –I/O

Data Input/Output

DD DDQ

V , V

Core and I/O Power Supply (3.3V)

Array Ground, I/O Ground

Power

SS SSQ

V , V

N/A

3780 tbl 01

PentiumisatrademarkofIntelCorp.

PowerPCisatrademarkofInternationalBusinessMachines,Inc.

AUGUST 2001

DSC-3780/05

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V633S12PF8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC,
IDT71V633S12PFI	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V65602	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602100BQ	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
IDT71V65602100BQI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
IDT71V65602100PFI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, MO
IDT71V65602133BG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028AA, BGA-119
IDT71V65602133BQI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
IDT71V65602133PF	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC,
IDT71V65602133PFI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC,

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