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IDT71V632S7PFI8

更新时间： 2024-11-25 23:15:47

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艾迪悌 - IDT		计数器存储内存集成电路静态存储器时钟
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19页	274K
描述
64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT71V632S7PFI8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	66 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V632S7PFI8 数据手册

64K x 32

3.3VSynchronousSRAM

PipelinedOutputs

IDT71V632

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

withfullsupportofthePentium™andPowerPC™processorinterfaces.

Thepipelinedburstarchitectureprovidescost-effective3-1-1-1second-

arycache performance forprocessors upto117MHz.

The IDT71V632 SRAM contains write, data, address, and control

registers.Internallogicallows theSRAMtogenerateaself-timedwrite

baseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheextremeendofthewrite

cycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner, as the IDT71V632canprovide fourcycles ofdata for

asingleaddresspresentedtotheSRAM.Aninternalburstaddresscounter

acceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingtheaccess

sequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforonecyclebefore

it is available on the next rising clock edge. If burst mode operation is

selected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutputdatawillbe

availabletotheuseronthenextthreerisingclockedges.Theorderofthese

threeaddresseswillbedefinedbytheinternalburstcounterandtheLBO

inputpin.

◆

64K x 32 memory configuration

◆

Supports high system speed:

Commercial:

– A4 4.5ns clockaccess time (117MHz)

CommercialandIndustrial:

– 5 5ns clockaccess time (100MHz)

– 6 6ns clockaccess time (83MHz)

– 7 7ns clockaccess time (66MHz)

◆

Single-cycle deselect functionality (Compatible with

Micron Part # MT58LC64K32D7LG-XX)

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

◆

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

Operates with a single 3.3V power supply (+10/-5%)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin rectangular plastic

◆

thin quad flatpack (TQFP).

TheIDT71V632SRAMutilizesIDT'shigh-performance,high-volume

3.3V CMOS process, and is packaged in a JEDEC Standard 14mm x

20mm100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)foroptimumboarddensity

inbothdesktopandnotebookapplications.

Description

TheIDT71V632isa3.3Vhigh-speedSRAMorganizedas64Kx32

PinDescriptionSummary

A –A

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS , CS

Chips Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW BW BW BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O⁰–I/O³¹

Data Input/Output

DD DDQ

V , V

3.3V

Power

SS SSQ

V , V

Array Ground, I/O Ground

N/A

3619 tbl 01

PentiumprocessorisatrademarkofIntelCorp.

PowerPCisatrademarkofInternationalBusinessMachines,Inc.

AUGUST 2001

DSC-3619/04

12 3 4 5 6 7...19

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