5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IDT71V632ZS7PF
IDT71V632ZS7PF PDF预览

IDT71V632ZS7PF

更新时间： 2024-11-23 19:58:35
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 246K
描述
Cache SRAM, 64KX32, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

IDT71V632ZS7PF 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：32湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：14 mm
Base Number Matches：1

IDT71V632ZS7PF 数据手册

 浏览型号IDT71V632ZS7PF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT71V632ZS7PF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT71V632ZS7PF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT71V632ZS7PF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V632ZS7PF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT71V632ZS7PF的Datasheet PDF文件第7页 
64K x 32  
IDT71V632/Z  
3.3VSynchronousSRAM  
PipelinedOutputs  
BurstCounter,SingleCycleDeselect  
Features  
withfullsupportofthePentium™andPowerPC™processorinterfaces.  
Thepipelinedburstarchitectureprovidescost-effective3-1-1-1second-  
arycache performance forprocessors upto117MHz.  
The IDT71V632 SRAM contains write, data, address, and control  
registers.Internallogicallows theSRAMtogenerateaself-timedwrite  
baseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheextremeendofthewrite  
cycle.  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner, as the IDT71V632canprovide fourcycles ofdata for  
asingleaddresspresentedtotheSRAM.Aninternalburstaddresscounter  
acceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingtheaccess  
sequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforonecyclebefore  
it is available on the next rising clock edge. If burst mode operation is  
selected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutputdatawillbe  
availabletotheuseronthenextthreerisingclockedges.Theorderofthese  
threeaddresseswillbedefinedbytheinternalburstcounterandtheLBO  
inputpin.  
◆
64K x 32 memory configuration  
◆
Supports high system speed:  
Commercial:  
– A4 4.5ns clockaccess time (117MHz)  
CommercialandIndustrial:  
– 5 5ns clockaccess time (100MHz)  
– 6 6ns clockaccess time (83MHz)  
– 7 7ns clockaccess time (66MHz)  
◆
Single-cycle deselect functionality (Compatible with  
Micron Part # MT58LC64K32D7LG-XX)  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte  
◆
◆
write enable (BWE), and byte writes (BWx)  
Power down controlled by ZZ input  
Operates with a single 3.3V power supply (+10/-5%)  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin rectangular plastic  
◆
◆
◆
thin quad flatpack (TQFP).  
TheIDT71V632SRAMutilizesIDT'shigh-performance,high-volume  
3.3V CMOS process, and is packaged in a JEDEC Standard 14mm x  
20mm100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)foroptimumboarddensity  
inbothdesktopandnotebookapplications.  
Description  
TheIDT71V632isa3.3Vhigh-speedSRAMorganizedas64Kx32  
PinDescriptionSummary  
A0–A15  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
CS  
0
, CS  
1
Chips Selects  
Output Enable  
OE  
GW  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
BWE  
BW1, BW2, BW3, BW  
4
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
ZZ  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
I/O  
0
–I/O31  
DD, VDDQ  
SS, VSSQ  
Data Input/Output  
V
3.3V  
Power  
Power  
V
Array Ground, I/O Ground  
N/A  
3619 tbl 01  
PentiumprocessorisatrademarkofIntelCorp.  
PowerPCisatrademarkofInternationalBusinessMachines,Inc.  
FEBRUARY 2007  
1
©2007IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-3619/05  
1234567...19

中文翻译

下载PDF

与IDT71V632ZS7PF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V632ZSA4PF IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 64KX32, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V633 IDT

获取价格

 		64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V633S11PF IDT

获取价格

 		64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V633S11PF8 IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 64KX32, 11ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC,
IDT71V633S11PFI IDT

获取价格

 		64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V633S12PF IDT

获取价格

 		64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V633S12PF8 IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 64KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC,
IDT71V633S12PFI IDT

获取价格

 		64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V65602 IDT

获取价格

 		256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602100BQ IDT

获取价格

 		ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165

与IDT71V632ZS7PF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证