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IDT71V632S7PFGI

更新时间： 2024-11-26 12:58:35

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	274K
描述
Cache SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V632S7PFGI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY	最大时钟频率 (fCLK)：	66 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V632S7PFGI 数据手册

64K x 32

3.3VSynchronousSRAM

PipelinedOutputs

IDT71V632

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

withfullsupportofthePentium™andPowerPC™processorinterfaces.

Thepipelinedburstarchitectureprovidescost-effective3-1-1-1second-

arycache performance forprocessors upto117MHz.

The IDT71V632 SRAM contains write, data, address, and control

registers.Internallogicallows theSRAMtogenerateaself-timedwrite

baseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheextremeendofthewrite

cycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner, as the IDT71V632canprovide fourcycles ofdata for

asingleaddresspresentedtotheSRAM.Aninternalburstaddresscounter

acceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingtheaccess

sequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforonecyclebefore

it is available on the next rising clock edge. If burst mode operation is

selected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutputdatawillbe

availabletotheuseronthenextthreerisingclockedges.Theorderofthese

threeaddresseswillbedefinedbytheinternalburstcounterandtheLBO

inputpin.

◆

64K x 32 memory configuration

◆

Supports high system speed:

Commercial:

– A4 4.5ns clockaccess time (117MHz)

CommercialandIndustrial:

– 5 5ns clockaccess time (100MHz)

– 6 6ns clockaccess time (83MHz)

– 7 7ns clockaccess time (66MHz)

◆

Single-cycle deselect functionality (Compatible with

Micron Part # MT58LC64K32D7LG-XX)

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

◆

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

Operates with a single 3.3V power supply (+10/-5%)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin rectangular plastic

◆

thin quad flatpack (TQFP).

TheIDT71V632SRAMutilizesIDT'shigh-performance,high-volume

3.3V CMOS process, and is packaged in a JEDEC Standard 14mm x

20mm100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)foroptimumboarddensity

inbothdesktopandnotebookapplications.

Description

TheIDT71V632isa3.3Vhigh-speedSRAMorganizedas64Kx32

PinDescriptionSummary

A –A

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS , CS

Chips Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW BW BW BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O⁰–I/O³¹

Data Input/Output

DD DDQ

V , V

3.3V

Power

SS SSQ

V , V

Array Ground, I/O Ground

N/A

3619 tbl 01

PentiumprocessorisatrademarkofIntelCorp.

PowerPCisatrademarkofInternationalBusinessMachines,Inc.

AUGUST 2001

DSC-3619/04

12 3 4 5 6 7...19

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与IDT71V632S7PFGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V632S7PFI	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632S7PFI8	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632S8PF	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632S8PF8	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632SA4PF	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632SA4PFI	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V632ZS6PFI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V632ZS7PF	IDT	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V632ZSA4PF	IDT	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V633	IDT	获取价格	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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