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IDT71V632S4PF8

更新时间: 2024-11-23 14:51:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 729K
描述
Cache SRAM, 64KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V632S4PF8 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.64
Is Samacsys:N最长访问时间:4 ns
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:32
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:100字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:14 mmBase Number Matches:1

IDT71V632S4PF8 数据手册

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