5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IDT70V631S10BF
IDT70V631S10BF PDF预览

IDT70V631S10BF

更新时间： 2024-10-27 22:08:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 306K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

IDT70V631S10BF 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.14
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B208
JESD-609代码：e0长度：15 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA208,17X17,32封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7 mm
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：15 mm
Base Number Matches：1

IDT70V631S10BF 数据手册

 浏览型号IDT70V631S10BF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT70V631S10BF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT70V631S10BF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT70V631S10BF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT70V631S10BF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT70V631S10BF的Datasheet PDF文件第7页 
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
IDT70V631S  
Features  
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the  
128-pin TQFP package.  
◆
– Commercial:10/12/15ns(max.)  
– Industrial: 12ns (max.)  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
IDT70V631 easily expands data bus width to 36 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for  
core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-ball fine  
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
◆
◆
◆
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Functional Block Diagram  
UBL  
UB  
R
LBL  
LB  
R
R/  
WL  
R/WR  
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
1
B
E
0
CE0L  
CE0R  
R
R
CE1L  
CE1R  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_L  
Dout9-17_R  
256K x 18  
MEMORY  
ARRAY  
Din_L  
I/O0L- I/O17L  
Din_R  
I/O0R - I/O17R  
A
17R  
0R  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
A
17L  
0L  
ADDR_L  
ADDR_R  
A
A
OE  
L
OER  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE0R  
CE1R  
CE0L  
CE1L  
R/WL  
R/WR  
BUSY  
R
BUSY  
SEM  
INT  
L
L
M/S  
SEM  
INT  
R
L
R
TMS  
TCK  
TDI  
JTAG  
TDO  
TRST  
5622 drw 01  
NOTES:  
1. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
OCTOBER 2003  
1
DSC-5622/5  
©2003IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...23

中文翻译

下载PDF

与IDT70V631S10BF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V631S10BF8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, F
IDT70V631S10BFG IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, F
IDT70V631S10BFG8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PBGA208, FPBGA-208
IDT70V631S10BFI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V631S10PRF IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V631S10PRFG IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128
IDT70V631S10PRFG8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
IDT70V631S10PRFI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V631S12BC IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V631S12BC8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-

与IDT70V631S10BF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证