是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 3 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B256 | JESD-609代码: | e1 |
内存密度: | 1179648 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 256 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA256,16X16,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 3.15 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.47 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V5388S200BCI | IDT |
获取价格 |
3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM | |
IDT70V5388S200BG | IDT |
获取价格 |
3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM | |
IDT70V5388S200BGG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA272, 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, GRE | |
IDT70V5388S200BGG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA272 | |
IDT70V5388S200BGI | IDT |
获取价格 |
3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM | |
IDT70V631S | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V631S10BC | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V631S10BCG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA- | |
IDT70V631S10BCI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V631S10BF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |