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IDT70V37L15PF

更新时间： 2024-10-28 03:55:59

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
17页	155K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL- STATIC RAM

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IDT70V37L15PF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.52
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	14 mm	内存密度：	589824 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	100
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP100,.63SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.003 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.235 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V37L15PF 数据手册

PRELIMINARY

IDT70V37L

HIGH-SPEED 3.3V

32K x 18 DUAL-PORT

STATIC RAM

ꢀeatures

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed access

– Commercial:15/20ns (max.)

– Industrial:20ns (max.)

M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆

Low-power operation

◆

– IDT70V37L

Fully asynchronous operation from either port

Separate upper-byte and lower-byte controls for multi-

plexed bus and bus matching compatibility

LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in a 100-pin TQFP

Active:440mW(typ.)

Standby: 660µW (typ.)

Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

IDT70V37 easily expands data bus width to 36 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

◆

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

ꢀunctional Block Diagram

R/WL

UBL

R/WR

UB_R

CE0L

CE_0R

CE_1L

CE_1R

OE_R

OEL

LBL

LBR

I/O 9-17L

I/O 0-8L

I/O9-17R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0-8R

(1,2)

BUSYR

BUSYL

32Kx18

MEMORY

ARRAY

70V37

14L

A14R

Address

Decoder

Address

Decoder

A0L

A0R

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CE0R

CE1R

CE0L

CE1L

OEL

OER

R/WR

R/WL

SEM_L

INT_L

SEM_R

(2)

INTR

M/S⁽¹⁾

NOTES:

4851 drw 01

1. BUSY is an input as a Slave (M/S=V^IL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).

2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).

JANUARY 2002

DSC-4851/2

12 3 4 5 6 7...17

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IDT70V37L15PF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT70V37L15PF8	IDT	功能相似	Dual-Port SRAM, 32KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT7037L15PF8	IDT	功能相似	Dual-Port SRAM, 32KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IDT7037L15PF	IDT	功能相似	x18 Dual-Port SRAM

与IDT70V37L15PF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V37L15PF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V37L15PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V37L15PFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V37L15PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IDT70V37L15PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL- STATIC RAM
IDT70V37L20PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL- STATIC RAM
IDT70V37L20PFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V37L20PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V37L20PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL- STATIC RAM
IDT70V37L20PFI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

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