是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 0.50 MM PITCH, GREEN, FBGA-144 |
针数: | 144 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.67 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 3 |
端子数量: | 144 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA144,12X12,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00015 A |
最小待机电流: | 2.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V525ML55BZI | IDT |
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Multi-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA144 | |
IDT70V525ML55BZI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA144 | |
IDT70V5378S100B | IDT |
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Four-Port SRAM, 32KX18, 3.6ns, PBGA272, 27 X 27 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-272 | |
IDT70V5378S100BC | IDT |
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3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM | |
IDT70V5378S100BCG | IDT |
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Four-Port SRAM, 32KX18, 3.6ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREE | |
IDT70V5378S100BCG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 32KX18, 3.6ns, CMOS, PBGA256 | |
IDT70V5378S100BCGI | IDT |
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Four-Port SRAM, 32KX18, 3.6ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREE | |
IDT70V5378S100BCGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 32KX18, 3.6ns, CMOS, PBGA256 | |
IDT70V5378S100BCI | IDT |
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3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM | |
IDT70V5378S100BG | IDT |
获取价格 |
3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM |