是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | TQFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.4 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 100 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.003 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.235 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V38L15PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V38L15PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V38L15PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V38L20PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V38L20PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V38L20PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V38L20PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V38L20PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V38L20PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V525L55BZGI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, GREEN, FBGA-144 |