是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.74 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.5 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V27L35G | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L35GI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L35PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L35PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27L35PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
IDT70V27L35PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
IDT70V27L35PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L35PFI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27L35PFI9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27L55BF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |