是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.68 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 144 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA144,13X13,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.5 mm |
最大待机电流: | 0.006 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.26 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V27S15BFGI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT70V27S15BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S15G | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S15GI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S15PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S15PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27S15PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27S15PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27S15PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S20BF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |