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IDT70V27L35PFI8

更新时间： 2024-10-28 14:42:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 355K
描述
Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

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IDT70V27L35PFI8 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100针数：100
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.44
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
其他特性：INTERRUPT FLAGSI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQFP-G100JESD-609代码：e0
长度：14 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：100
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFQFP封装等效代码：QFP100,.63SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.006 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.235 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT70V27L35PFI8 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
32K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
IDT70V27S/L  
Features:  
◆
◆
IDT70V27 easily expands data bus width to 32 bits or more  
using the Master/Slave select when cascading more than  
one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)  
– Industrial: 20/35ns(max.)  
Low-power operation  
◆
◆
◆
◆
Busy and Interrupt Flags  
On-chip port arbitration logic  
– IDT70V27S  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply  
Available in 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP), and 144-  
pin Fine Pitch BGA (fpBGA)  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Green parts available, see ordering information  
Active:500mW(typ.)  
Standby: 3.3mW (typ.)  
– IDT70V27L  
◆
◆
◆
Active:500mW(typ.)  
Standby: 660µW (typ.)  
Separate upper-byte and lower-byte control for bus  
◆
◆
◆
matching capability  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
◆
external logic  
FunctionalBlockDiagram  
R/W  
L
R/WR  
UB  
L
UB  
R
CE0L  
CE0R  
CE1L  
CE1R  
OE  
R
OE  
L
L
LB  
R
LB  
I/O8-15L  
I/O0-7L  
I/O8-15R  
I/O0-7R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
,
(1,2)  
(1,2)  
BUSY  
L
BUSY  
R
32Kx16  
A
14R  
0R  
A
14L  
0L  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
70V27  
A
A
A
14L  
A
A
14R  
0R  
A
CE0L  
0L  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE0R  
CE1L  
OE  
CE1R  
OE  
L
R
R/  
WL  
R/WR  
L
L
SEM  
INT  
SEM  
R
(2)  
(2)  
INT  
R
M/S(2)  
NOTES:  
3603 drw 01  
1) BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output as a Master (M/S=VIH).  
2) BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
SEPTEMBER 2012  
6.01  
1
DSC3603/12  
©2012IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V27L35PFI9 IDT

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