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IDT70V27S20BFG

更新时间： 2024-10-28 13:08:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	192K
描述
Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144

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IDT70V27S20BFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA144,13X13,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
JESD-609代码：	e3	长度：	12 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	144
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA144,13X13,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大待机电流：	0.006 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.255 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V27S20BFG 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V

32K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

IDT70V27S/L

◆

Features:

◆

IDT70V27 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP), 108-pin

Ceramic Pin Grid Array (PGA), and 144-pin Fine Pitch BGA

(fpBGA)

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed access

◆

– Industrial:35ns (max.)

◆

– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT70V27S

Active:500mW(typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V27L

◆

Active:500mW(typ.)

Standby:660µW(typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for bus

◆

matching capability

Dual chip enables allow for depth expansion without

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆

external logic

FunctionalBlockDiagram

R/WL

UBL

R/WR

UBR

CE0L

CE0R

CE1L

CE1R

OER

LBR

OEL

LBL

I/O8-15L

I/O0-7L

I/O8-15R

I/O0-7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSY

BUSYR

32Kx16

A14R

A14L

A0L

Address

Decoder

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

70V27

A0R

A14L

A14R

A0R

CE0R

A0L

CE0L

CE1L

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CE1R

OER

OEL

R/WL

R/WR

SEM

INT

SEMR

(2)

INTR

M/S⁽²⁾

NOTES:

3603 drw 01

1) BUSY is an input as a Slave (M/S=V^IL) and an output as a Master (M/S=VIH).

2) BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).

JANUARY 2001

6.011

DSC 3603/7

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V27S20BFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144
IDT70V27S20BFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S20G	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S20GI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S20PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S20PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V27S20PFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
IDT70V27S20PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
IDT70V27S20PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S25BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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