Datasheet > IDT70V06L25JG8

IDT70V06L25JG8

更新时间： 2024-09-17 14:33:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	171K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT70V06L25JG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ,	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	JESD-30 代码：	S-PQCC-J68
JESD-609代码：	e3	长度：	24.2062 mm
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	68
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
最小待机电流：	2 V	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	24.2062 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V06L25JG8 数据手册

IDT70V06S/L

HIGH-SPEED 3.3V

16K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 68-pin PGA and PLCC, and a 64-pin TQFP

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)

– Industrial:20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT70V06S

Active:400mW(typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V06L

Active:380mW(typ.)

Standby: 660mW (typ.)

◆

IDT70V06 easily expands data bus width to 16 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

Functional Block Diagram

OEL

OER

CEL

CER

R/WL

R/WR

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSYL

(1,2)

BUSYR

A13L

A13R

Address

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0L

A0R

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

OEL

CER

OER

R/WR

SEML

INTL

SEMR

INTR

M/S

(2)

2942 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

MARCH 2000

DSC-2942/7

6.07

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT70V06L25JG8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V06L25JI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L25PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L25PF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64
IDT70V06L25PFGI	IDT	获取价格	暂无描述
IDT70V06L25PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L25PFI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64
IDT70V06L35G	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L35GGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68
IDT70V06L35GI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L35J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

与IDT70V06L25JG8相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

18
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

16
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

93
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

83

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V06L25JG8

IDT70V06L25JG8 技术参数

IDT70V06L25JG8 数据手册

与IDT70V06L25JG8相关器件

与IDT70V06L25JG8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V06L25JG8

IDT70V06L25JG8 技术参数

IDT70V06L25JG8 数据手册

与IDT70V06L25JG8相关器件

与IDT70V06L25JG8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？