是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | CERAMIC, PGA-68 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.41 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P68 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 29.464 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 68 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 29.464 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V06L35GI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L35J | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L35J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT70V06L35JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT70V06L35JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT70V06L35JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT70V06L35JI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L35PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L35PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT70V06L35PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |