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IDT70V06L35J

更新时间： 2024-11-05 23:01:07

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
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22页	172K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT70V06L35J 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	PLASTIC, LCC-68	针数：	68
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.21
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQCC-J68
JESD-609代码：	e0	长度：	24.2062 mm
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC68,1.0SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	最大待机电流：	0.0025 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.155 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	24.2062 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V06L35J 数据手册

IDT70V06S/L

HIGH-SPEED 3.3V

16K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 68-pin PGA and PLCC, and a 64-pin TQFP

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)

– Industrial:20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT70V06S

Active:400mW(typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V06L

Active:380mW(typ.)

Standby: 660mW (typ.)

◆

IDT70V06 easily expands data bus width to 16 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

Functional Block Diagram

OEL

OER

CEL

CER

R/WL

R/WR

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSYL

(1,2)

BUSYR

A13L

A13R

Address

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0L

A0R

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

OEL

CER

OER

R/WR

SEML

INTL

SEMR

INTR

M/S

(2)

2942 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

MARCH 2000

DSC-2942/7

6.07

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V06L35J8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
IDT70V06L35JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
IDT70V06L35JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
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