Datasheet > 存储 > SRAM> IDT70V06L35JI

IDT70V06L35JI

更新时间： 2024-11-25 23:01:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	172K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT70V06L35JI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	针数：	68
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQCC-J68
JESD-609代码：	e0	长度：	24.2062 mm
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC68,1.0SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	24.2062 mm
Base Number Matches：	1

IDT70V06L35JI 数据手册

IDT70V06S/L

HIGH-SPEED 3.3V

16K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 68-pin PGA and PLCC, and a 64-pin TQFP

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)

– Industrial:20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT70V06S

Active:400mW(typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V06L

Active:380mW(typ.)

Standby: 660mW (typ.)

◆

IDT70V06 easily expands data bus width to 16 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

Functional Block Diagram

OEL

OER

CEL

CER

R/WL

R/WR

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSYL

(1,2)

BUSYR

A13L

A13R

Address

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0L

A0R

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

OEL

CER

OER

R/WR

SEML

INTL

SEMR

INTR

M/S

(2)

2942 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

MARCH 2000

DSC-2942/7

6.07

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT70V06L35JI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V06L35PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L35PFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64
IDT70V06L35PFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64
IDT70V06L35PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L55G	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L55GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68
IDT70V06L55GI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L55J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L55JGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
IDT70V06L55JI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

与IDT70V06L35JI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V06L35JI

IDT70V06L35JI 技术参数

IDT70V06L35JI 数据手册

与IDT70V06L35JI相关器件

与IDT70V06L35JI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V06L35JI

IDT70V06L35JI 技术参数

IDT70V06L35JI 数据手册

与IDT70V06L35JI相关器件

与IDT70V06L35JI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？