是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 64 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.12 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 64 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最小待机电流: | 2 V | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V06L35PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT70V06L35PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55G | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 | |
IDT70V06L55GI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55J | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT70V06L55JI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |