是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 24.2062 mm |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 68 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 24.2062 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V06L35JI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L35PF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L35PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT70V06L35PFG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
IDT70V06L35PFI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55G | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55GG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 | |
IDT70V06L55GI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55J | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V06L55JGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |