是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 25 ns | JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70P25L25BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 1.8V 8/4K x 18 DUAL-PORT, 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70P25L25BY | IDT |
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HIGH-SPEED 1.8V 8/4K x 18 DUAL-PORT, 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70P25L25BYI | IDT |
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HIGH-SPEED 1.8V 8/4K x 18 DUAL-PORT, 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70P25L25PF | IDT |
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HIGH-SPEED 1.8V 8/4K x 18 DUAL-PORT, 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70P25L25PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 1.8V 8/4K x 18 DUAL-PORT, 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70P27L12PFG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 32KX16, 12ns, CMOS, PQFP100 | |
IDT70P3307 | IDT |
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1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II | |
IDT70P3307S233RM | IDT |
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1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II | |
IDT70P3307S233RMI | IDT |
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1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II | |
IDT70P3307S250RM | IDT |
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1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II |