IDT70P3307S233RMI

更新时间： 2024-11-05 03:56:55

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
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描述
1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II

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IDT70P3307S233RMI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	25 X 25 MM, 2.55 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-576
针数：	576	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B576
JESD-609代码：	e1	长度：	25 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	QDR SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	576	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	25 mm	Base Number Matches：	1

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PRELIMINARY DATASHEET

IDT70P3307

1024K/512K x18

SYNCHRONOUS

DUAL QDR-II

IDT70P3337

Features

– Four word transfers per clock cycle per port (four word bursts

on 2 ports)

◆

18Mb Density (1024K x 18)

◆

Port Enable pins (E0,E1) for depth expansion

Dual Echo Clock Output with DLL-based phase alignment

High Speed Transceiver Logic inputs that can be scaled to

receive signals from 1.4V to 1.9V

– Also available 9Mb Density (512K x 18)

QDR-II x 18 Burst-of-2 Interface

– Commercial: 233MHz, 250MHz

◆

Separate, Independent Read and Write Data Ports

– Supports concurrent transactions

◆

Scalable output drivers

– Drives HSTL, 1.8V TTL or any voltage level from 1.4V to 1.9V

– Output impedance adjustable from 35 ohms to 70 ohms

1.8V Core Voltage (VDD)

◆

Dual Echo Clock Output

Two-Word Burst on all DPRAM accesses

DDR (Double Data Rate) Multiplexed Address Bus

– One Read and One Write request per clock cycle

DDR (Double Data Rate) Data Buses

– Four word burst data (Two Read and Two Write) per clock on

each port

◆

576-ball Flip Chip BGA (25mm x 25mm, 1.0mm ball pitch)

JTAG Interface - IEEE 1149.1 Compliant

◆

Functional Block Diagram

VREFL

VREFR

P[1:0]

R[1:0]

L[1:0]

LEFT PORT

DATA

RIGHT PORT

DATA

AND LOGIC

0L- D1 7 L

0R-

D17 R

WRITE DRIVER

(1)

ZQL

ZQR

0L-

1 7 L

0R- Q1 7 R

1024/512K x 18

MEMORY

ARRAY

CQL, CQL

CQR, CQR

(2)

0R- 18R

(2)

0L- A18L

, C

^ORK

, K

^ORK

, KL

LEFT PORT

ADDRESS

AND LOGIC

RIGHT PORT

ADDRESS

AND LOGIC

ADDRESS DECODE

BW0R- BW1R

BW0L- BW1 L

TCK

TMS

TRST

TDI

6725 drw01

JTAG

VREFR

VREFL

TDO

NOTES:

1. Input pin to adjust the device outputs to the system data bus impedance.

2. Address A18 is a INC for IDT70P3337. Disabled input pin (Diode tied to VDD and VSS).

July 16, 2007

DSC-6725/1

©2007 Integrated Device Technology, Inc. All rights reserved. Advanced Datasheet for informational purposes only. Product specifications subject to change without notice. NOT AN OFFER FOR SALE The information

presented herein is subject to a Non-Disclosure Agreement (NDA) and is for planning purposes only. Nothing contained in this presentation, whether verbal or written, is intended as, or shall have the effect of, a sale

or an offer for sale that creates a contractual power of acceptance. "QDR SRAMs and Quad Data Rate RAMs comprise a new family of products developed by Cypress Semicondor, IDT, and Micron Tecnology, Inc."

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IDT70P3307S250RM	IDT	获取价格	1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II
IDT70P3307S250RMI	IDT	获取价格	1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II
IDT70P3337	IDT	获取价格	1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II
IDT70P3337S233RM	IDT	获取价格	1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II
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