是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA84M,11X11 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.14 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P84 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 30.48 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 84 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA84M,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.207 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.325 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 30.48 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7008S20GB | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S20GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-108 | |
IDT7008S20GGI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7008S20GI | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S20J | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S20J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LC | |
IDT7008S20JB | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S20JI | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S20PF | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S20PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |