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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC84,1.2SQ | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.16 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J84 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 29.3116 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC84,1.2SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.345 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 29.3116 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7008S25JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LC |
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| IDT7008S25JGB | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT7008S25JI | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7008S25PF | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7008S25PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
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| IDT7008S25PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7008S25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
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| IDT7008S25PFGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
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| IDT7008S25PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7008S35 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84 |
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