是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.75 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 64KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFQFP |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7008S35PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT7008S35PFGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT7008S35PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S55G | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S55GB | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S55GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-108 | |
IDT7008S55GGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-108 | |
IDT7008S55GGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-108 | |
IDT7008S55GI | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7008S55J | IDT |
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HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |