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IBM11M4735C-70J

更新时间： 2024-01-09 23:28:46

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	323K
描述
EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

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IBM11M4735C-70J 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度：	36	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	301989888 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.018 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	1.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IBM11M4735C-70J 数据手册

IBM11M4730C4M

x 72 E12/10, 5.0V, Au.

IBM11M4735C

IBM11M4735CB

4M x 72 DRAM MODULE

Features

• 168 Pin JEDEC Standard, 8 Byte Dual In-line

Memory Module

• Optimized for ECC applications

• System Performance Beneﬁts:

- Buffered inputs (except RAS, Data)

• 4Mx72 Extended Data Out Page Mode DIMM

• Performance:

- Reduced noise (32 V /V pins)

SS CC

- 4 Byte Interleave enabled

- Buffered PDs

-60

-70

t_RAC

t_CAC

t_AA

RAS Access Time

CAS Access Time

Access Time From Address

Cycle Time

60ns

20ns

35ns

70ns

25ns

40ns

• Extended Data Out (EDO) Mode, Read-Modify-

Write Cycles

• Refresh Modes: RAS-Only, CBR and Hidden

Refresh

t_RC

104ns 124ns

25ns 30ns

t_HPC

EDO Mode Cycle Time

• 4096 refresh cycles distributed across 64ms

• 12/10 addressing (Row/Column)

• Card size: 5.25" x 1.0" x 0.354"

• DRAMS in SOJ Package

• All inputs and outputs are LVTTL (3.3V) or TTL

(5.0V) compatible

• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V Power Supply

• Au contacts

Description

IBM11M4735C is an industry standard 168-pin

8-byte Dual In-line Memory Module (DIMM) which is

organized as a 4Mx72 high speed memory array

designed with EDO DRAMs for ECC applications.

The DIMM uses 18 4Mx4 EDO DRAMs in SOJ

packages. The use of EDO DRAMs allows for a

reduction in Page Mode Cycle time from 40ns (Fast

Page) to 25ns for 60ns DRAM modules.

Presence Detect (PD) and Identification Detect (ID)

bits provide information about the DIMM density,

addressing, performance and features. PD bits can

be dotted at the system level and activated for each

DIMM position using the PD enable (PDE) signal. ID

bits also allow detection of card features, and may

be dot-or’d at the system level to provide information

for the entire DIMM bank. For example, the system

will determine that ECC DIMMs are installed if PD8

is low (0). ID0 need not be sensed since both x72

and x80 ECC DIMMs will function in a x72 bank.

Improved system performance is provided by the

on-DIMM buffering of selected input signals. The

specified timings include all buffer, net and skew

delays, which simplifies the memory subsystem

design analysis. The data and RAS signals are not

buffered, which preserves the DRAM access specifi-

cations of 60ns and 70ns.

All IBM 168-pin DIMMs provide a high performance,

flexible 8-byte interface in a 5.25” long space-saving

footprint. Related products are the x64 ECC DIMMs

(5V and 3.3V).

Card Outline 3.3V

Detail A

(Front)

(Back)

10 11

94 95

168

40 41

124 125

See Detail A

for 5.0V Version

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

50H4201

SA14-4616-02

Revised 5/96

Page 1 of 29

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IBM11M4735CB-60T	IBM	EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
IBM11M4735CB-70	ETC	x72 EDO Page Mode DRAM Module	获取价格
IBM11M4735CB-70J	IBM	DRAM, 4MX72, 70ns, CMOS, PDMA168	获取价格
IBM11M8645HB-60	ETC	x64 EDO Page Mode DRAM Module	获取价格
IBM11M8645HB-60T	ETC	x64 EDO Page Mode DRAM Module	获取价格

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