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Datasheet > HY62UF16201ALLM-55
HY62UF16201ALLM-55 PDF预览

HY62UF16201ALLM-55

更新时间： 2024-01-28 06:29:45
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 204K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MICRO, CSP, BGA-48

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HY62UF16201ALLM-55 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：FBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
Is Samacsys：N最长访问时间：55 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

HY62UF16201ALLM-55 数据手册

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HY62UF16201A/ HY62QF16201A/ HY62EF16201A/  
HY62SF16201A Series 128Kx16bit full CMOS SRAM  
PRELIMINARY  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The HY62UF16201A  
/
HY62QF16201A  
/
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
- 1.5V(min) data retention  
Standard pin configuration  
- 48ball CSP  
HY62EF16201A / HY62SF16201A is a high  
speed, super low power and 2Mbit full CMOS  
SRAM organized as 131,072 words by 16bits. The  
HY62UF16201A  
/
HY62QF16201A  
/
·
HY62EF16201A / HY62SF16201A uses high  
performance full CMOS process technology and  
is designed for high speed and low power circuit  
technology. It is particularly well-suited for the  
high density low power system application. This  
device has a data retention mode that guarantees  
data to remain valid at a minimum power supply  
voltage of 1.5V.  
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
55/70/85  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
SL  
2
2
2
2
2
2
2
2
HY62UF16201A  
HY62UF16201A-I  
HY62QF16201A  
HY62QF16201A-I  
HY62EF16201A  
HY62EF16201A-I  
HY62SF16201A  
HY62SF16201A-I  
3.0  
3.0  
2.5  
2.5  
2.0  
2.0  
1.8  
1.8  
15  
15  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
55/70/85  
70/85/100  
70/85/100  
85/100/120  
85/100/120  
100/120/150  
100/120/150  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION (Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
A1,A2  
ROW  
DECODER  
A4, A6~A7  
I/O1  
A9  
A12  
A15~A16  
A8  
/LB /OE A0 A1 A2 NC  
IO9 /UB A3 A4 /CS IO1  
IO10 IO11 A5 A6 IO2 IO3  
Vss IO12 NC A7 IO4 Vcc  
Vcc IO13 NC A16 IO5 Vss  
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7  
IO16 NC A12 A13 /WE IO8  
NC A8 A9 A10 A11 NC  
I/O8  
I/O9  
A10  
MEMORY ARRAY  
512x128x32  
A13  
A14  
A0  
A3  
I/O16  
A5  
A11  
/CS  
/OE  
/LB  
/UB  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS  
/WE  
/OE  
/LB  
Pin Funtion  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)  
Pin Name  
Pin Funtion  
Data Input/Output  
Address Input  
Power(3.0V/2.5V/2.0V/1.8V)  
Ground  
I/O1~I/O16  
A0~A16  
Vcc  
Vss  
/UB  
Upper Byte Control(I/O9~I/O16) NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.01 /Feb. 99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...13

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