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HY62UF16201ASLF1-70I

更新时间: 2024-01-22 04:06:17
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 254K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48

HY62UF16201ASLF1-70I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.9最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0长度:8 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:48字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm最小待机电流:1.2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
宽度:6 mmBase Number Matches:1

HY62UF16201ASLF1-70I 数据手册

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HY62UF16201A Series  
128Kx16bit full CMOS SRAM  
Document Title  
128K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS Slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
05  
Divide output load into two factors  
- tCLZ,tOLZ,tBLZ,tCHZ,tOHZ,tBHZ,tWHZ,tOW  
- Others  
Dec.10. 2000 Final  
Add the marking information  
Correct the PKG dimension(E1)  
Add the dimension and the marking information of the 6x8 PKG size  
Separate the part number(HY62UF16201AF1) for the 6x8 PKG Aug. 31. 2001  
size from the 7x8 PKG size(HY62UF16201AF)  
06  
07  
Aug. 01. 2001  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.07 / Aug. 2001  
Hynix Semiconductor  

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