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HY62UF16201LLM-85

更新时间： 2024-01-29 21:48:08
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 135K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62UF16201LLM-85 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：9.25 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.95 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM宽度：6.7 mm
Base Number Matches：1

HY62UF16201LLM-85 数据手册

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HY62UF16201 Series  
128Kx16bit full CMOS SRAM  
PRELIMINARY  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62UF16201 is a high speed, low power  
and 2M bit full CMOS SRAM organized as  
131,072 words by 16bit. The HY62UF16201 uses  
high performance full CMOS process technology  
and designed for high speed low power circuit  
technology. It is particularly well suited for used in  
high density low power system application. This  
device has a data retention mode that guarantees  
data to remain valid at a minimum power supply  
voltage of 1.5V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL-part)  
- 1.5V(min) data retention  
Standard pin configuration  
- 48ball uBGA  
·
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL-part  
HY62UF16201  
HY62UF16201-I  
3.0  
3.0  
85/100/120  
85/100/120  
15  
15  
15  
15  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION ( Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
A1,A2  
ROW  
DECODER  
A4, A6~A7  
I/O1  
/LB /OE A0 A1 A2 NC  
IO9 /UB A3 A4 /CS IO1  
IO10 IO11 A5 A6 IO2 IO3  
Vss IO12 NC A7 IO4 Vcc  
Vcc IO13 NC A16 IO5 Vss  
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7  
IO16 NC A12 A13 /WE IO8  
NC A8 A9 A10 A11 NC  
A9  
A12  
A15~A16  
A8  
I/O8  
I/O9  
A10  
MEMORY ARRAY  
512x128x32  
A13  
A14  
A0  
A3  
I/O16  
A5  
A11  
/CS  
/OE  
/LB  
/UB  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS  
/WE  
/OE  
/LB  
Pin Funtion  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)  
Pin Name  
Pin Funtion  
Data Input/Output  
Address Input  
Power(2.7V ~ 3.3V)  
Ground  
I/O1~I/O16  
A0~A16  
Vcc  
Vss  
/UB  
Upper Byte Control(I/O9~I/O16) NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.03 /Mar.99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62UF16201LLM-85I HYNIX

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