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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 8.4 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 0.95 mm | 最小待机电流： | 1.2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7.2 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62UF16403ASLM-70 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |
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| HY62UF16403ASLM-70I | HYNIX |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |
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| HY62UF16403ASLM-85 | HYNIX |
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Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |
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| HY62UF16403ASLM-85I | HYNIX |
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Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |
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| HY62UF16403ASLM-I | HYNIX |
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256Kx16bit full CMOS SRAM |
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| HY62UF16404C | ETC |
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x16|3V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
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| HY62UF16404C-DM55I | HYNIX |
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暂无描述 |
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| HY62UF16404C-DM70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |
|
| HY62UF16404C-SM55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |
|
| HY62UF16404D | ETC |
获取价格 |
x16|3V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
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