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HY62UF16404E-DF70I

更新时间: 2024-02-09 02:53:50
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 187K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48

HY62UF16404E-DF70I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e1
长度:8 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.1 mm
最小待机电流:1.2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM宽度:6 mm
Base Number Matches:1

HY62UF16404E-DF70I 数据手册

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HY62UF16404E Series  
256Kx16bit full CMOS SRAM  
Document Title  
256K x16 bit 2.7 ~ 3.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
00  
01  
02  
Initial Draft  
Dec.20.2001  
Mar.05.2002  
Feb.18.2003  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
Package Height Changed 1.0mm -> 0.9mm  
Add Package Size Option (6.0mmx8.0mm)  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 / Feb. 03  
Semiconductor  
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