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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 最大待机电流： | 0.000012 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62UF16404D-DM70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 |
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| HY62UF16404D-SM55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 |
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| HY62UF16404D-SM70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 |
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| HY62UF16404E | ETC |
获取价格 |
x16|3V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
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| HY62UF16404E-DF50I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62UF16404E-DF55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 |
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| HY62UF16404E-DF70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62UF16404E-SF55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 |
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| HY62UF16404E-SF70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62UF16406C | ETC |
获取价格 |
x16|3V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
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