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HY62UF16400ALLM-70

更新时间： 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 141K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62UF16400ALLM-70 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：8.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：7.2 mmBase Number Matches：1

HY62UF16400ALLM-70 数据手册

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HY62UF16400A Series  
256Kx16bit full CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62UF16400A is a high speed, super low  
power and 4Mbit full CMOS SRAM organized as  
256K words by 16bits. The HY62UF16400A uses  
high performance full CMOS process technology  
and is designed for high speed and low power  
circuit technology. It is particularly well-suited for  
the high density low power system application.  
This device has a data retention mode that  
guarantees data to remain valid at a minimum  
power supply voltage of 1.2V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup  
-. 1.2V(min) data retention  
Standard pin configuration  
-. 48-ball uBGA  
·
Product No.  
Voltage  
(V)  
Speed (ns)  
Operation  
Current/Icc(mA)  
Standby  
Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL  
15  
15  
SL  
4
4
HY62UF16400A  
HY62UF16400A-I 2.7~3.3  
2.7~3.3  
55/70/85  
55/70/85  
5
5
0~70  
-40~85(I)  
Note 1. Blank : Commercial, I : Industrial  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
BLOCK DIAGRAM  
1
2
3
4
5
6
ROW  
DECODER  
/LB /OE A0  
A1  
A2  
NC  
IO1  
A
1
I/O1  
I/O8  
I/O9  
I/O16  
A0  
/UB  
IO9  
A3  
A5  
A4 /CS  
B
C
D
E
F
IO10 IO11  
A6  
IO2 IO3  
IO4 Vcc  
Vss IO12 A17 A7  
MEMORY ARRAY  
256K x 16  
Vcc IO13 NC A16 IO5 Vss  
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7  
IO16 NC A12 A13 /WE IO8  
A17  
/CS  
G
H
NC A8  
A9  
A10 A11 NC  
uBGA  
/OE  
/LB  
/UB  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
Pin Function  
Pin Name  
I/O1~I/O16  
A0~A17  
Vcc  
Pin Function  
Data Inputs/Outputs  
Address Inputs  
Power(2.7~3.3V)  
Ground  
/CS  
/WE  
/OE  
/LB  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)  
Vss  
/UB  
Upper Byte Control(I/O9~I/O16) NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.07 / Jun.00  
Hyundai Semiconductor  
12345678

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