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HY5Y5A6DF-PF

更新时间： 2024-02-19 17:02:59

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	386K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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HY5Y5A6DF-PF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.165 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

HY5Y5A6DF-PF 数据手册

HY5Y5A6DF-xF

COMMAND TRUTH TABLE

A10/

Function

CKEn-1

CKEn

RAS CAS WE DQM ADDR

BA Note

Mode Register Set

Op Code

Extended Mode Register Set

Op Code

No Operation

Device Deselect

Bank Active

Read

Row Address

Column

Read with Autoprecharge

Write

Column

Write with Autoprecharge

Precharge All Banks

Precharge selected Bank

Burst stop

Data Write/Output Enable

Data Mask/Output Disable

Auto Refresh

Self Refresh Entry

Self Refresh Exit

Precharge Power Down

Entry

Precharge Power Down Exit

Clock Suspend Entry

Clock Suspend Exit

Deep Power Down Entry

Deep Power Down Exit

Note : 1. Exiting Self Refresh occurs by asynchronously bringing CKE from low to high.

2. BA1/BA0 must be issued 0/0 in the mode register set, and 1/0 in the extended mode register set.

Rev. 0.2 / June. 2003

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DFP-HF	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5Y5A6DF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
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HY5Y5A6DLF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLFP-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格