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HY5Y5A6DF-PF

更新时间： 2024-01-24 02:21:21

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	386K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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HY5Y5A6DF-PF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.165 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

HY5Y5A6DF-PF 数据手册

HY5Y5A6DF-xF

BASIC FUNCTIONAL DESCRIPTION (Continued)

Extended Mode Register

BA1

A12 A11

BA0

A10 A9

TCSR

PASR

TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

A4 A3

Temperature

45~70

15~45

-25~15

70~85 *1

*1 : Just gurantee for Extended and Industrial Part

PASR (Partial Array Self Refresh)

A2 A1 A0

Self Refresh Coverage

All Banks

Half of Total Bank (BA1=0)

Quarter of Total Bank (BA1=BA0=0)

Reserved

One Eighth of Total Bank (Row Address MSB=0)

One Sixteenth of Total Bank (Row Address 2 MSBs=0)

Reserved

DS (Driver Strength)

A6 A5

Driver Strength

Full

1/2 Strength

1/4 Strength

Reserved

Rev. 0.2 / June. 2003

1...3 4 567 8 9...23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DFP-HF	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5Y5A6DF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLFP-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格