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HY5Y5A6DF-PF

更新时间： 2024-02-14 16:31:00

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	386K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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HY5Y5A6DF-PF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.165 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

HY5Y5A6DF-PF 数据手册

HY5Y5A6DF-xF

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

4Mbit x 4banks x 16 I/O Low Power Synchronous DRAM

TCSR, PASR

Extended

Self refresh

logic & timer

Mode

Internal Row

Counter

Row

4Mx16 Bank3

4Mx16 Bank2

4Mx16 Bank1

4Mx16 Bank0

CLK

CKE

Active

Row

Pre

Decoders

DQ0

Memory

Cell

RAS

CAS

refresh

Array

Column

Active

Column

pre

DQ15

Decoders

Column decoders

U/LDQM

Column Add

Counter

bank select

Address

Registers

Burst

Counter

A12

BA1

BA0

Mode

CAS Latency

Data Out

Control

Rev. 0.2 / June. 2003

1 2 345 6 7...23

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与HY5Y5A6DF-PF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DFP-HF	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5Y5A6DF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLFP-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格