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HY5Y6B6DLFP-PF

更新时间： 2024-02-11 11:08:59

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
27页	340K
描述
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

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HY5Y6B6DLFP-PF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5Y6B6DLF(P)-xF

4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

Document Title

4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

Oct. 2003

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Oct. 2003

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y7A2DLM-HF	HYNIX	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y7A2DLMP-HF	HYNIX	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY-6	PERKINELMER	Thyratrons	获取价格
HY60	ETC	IC-30W BIPOLAR POWER AMP	获取价格
HY-60	PERKINELMER	Thyratrons	获取价格
HY601231	ETC	网络变压器	获取价格