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HY5Y6B6DLFP-PF

更新时间： 2024-01-08 23:45:08

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
27页	340K
描述
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

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HY5Y6B6DLFP-PF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5Y6B6DLF(P)-xF

4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM

BASIC FUNCTIONAL DESCRIPTION (Continued)

Extended Mode Register

BA1

BA0

A11

A10

PASR

DS (Driver Strength)

PASR (Partial Array Self Refresh)

Driver Strength

Full

A0 Self Refresh Coverage

All Banks

1/2 Strength

1/4 Strength

Reserved

Half of Total Bank (BA1=0 or Bank 0,1)

Quarter of Total Bank (BA1=BA0=0 or Bank 0)

Reserved

Half of Bank 0(Bank 0 and Row Address MSB=0)

Quarter of Bank 0(Bank 0 and Row Address 2 MSBs=0)

Reserved

Rev. 0.1 / Oct. 2003

1...4 5 678 9 10...27

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y7A2DLM-HF	HYNIX	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y7A2DLMP-HF	HYNIX	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY-6	PERKINELMER	Thyratrons	获取价格
HY60	ETC	IC-30W BIPOLAR POWER AMP	获取价格
HY-60	PERKINELMER	Thyratrons	获取价格
HY601231	ETC	网络变压器	获取价格