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HY5Y7A2DLMP-HF

更新时间： 2024-01-27 01:02:05

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
26页	333K
描述
4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM

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HY5Y7A2DLMP-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5Y7A2DLM-HF

4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM

Document Title

4Bank x 4M x 32bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

Feb. 2004

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Feb. 2004

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