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HY5V72DSM-P

更新时间: 2024-01-06 13:05:39
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 284K
描述
Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

HY5V72DSM-P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA,
针数:90Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B90长度:13 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:90
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11 mmBase Number Matches:1

HY5V72DSM-P 数据手册

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Preliminary  
HY5V72D(L/S)M(P) Series  
4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM  
COMMAND TRUTH TABLE  
Command  
CKEn-1  
CKEn  
CS  
L
RAS  
CAS  
L
WE  
L
DQM  
ADDR  
A10/AP  
BA  
Note  
Mode Register Set  
H
H
H
H
X
L
X
H
L
X
OP code  
H
L
X
X
No Operation  
X
X
X
X
X
X
X
H
H
Bank Active  
L
H
H
RA  
V
V
Read  
L
H
L
L
L
H
H
L
L
L
H
L
CA  
CA  
X
Read with Autoprecharge  
Write  
H
H
X
X
X
V
Write with Autoprecharge  
Precharge All Banks  
Precharge selected Bank  
Burst Stop  
H
H
L
X
V
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
X
X
V
X
X
DQM  
X
Auto Refresh  
H
X
L
L
L
L
L
L
H
L
X
A9 ball High  
MRS  
Mode  
Burst-Read-Single-WRITE  
Entry  
H
H
L
X
X
(Other balls OP code)  
L
H
L
L
X
H
X
H
X
H
X
V
L
X
H
X
H
X
H
X
V
H
X
H
X
H
X
H
X
V
Self Refresh1  
Exit  
X
L
H
L
H
L
X
X
X
H
L
Entry  
Precharge  
power down  
X
X
H
L
Exit  
H
H
L
Entry  
Clock  
Suspend  
H
L
L
X
X
Exit  
H
X
Rev. 0.2 / May. 2004  
12  

与HY5V72DSM-P相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY5V72DSMP-H HYNIX Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

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HY5W26CF-B ETC x16 SDRAM

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HY5W26CF-H ETC SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC

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HY5W26CF-HF HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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