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HY5V72DSM-P

更新时间： 2024-02-08 09:48:11

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海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	284K
描述
Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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HY5V72DSM-P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	长度：	13 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

HY5V72DSM-P 数据手册

Preliminary

HY5V72D(L/S)M(P) Series

4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM

DC CHARACTERISTICS II (TA= 0 to 70 C)

Speed

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

Burst length=1, One bank active

tRC ≥ tRC(min), IOL=0mA

Operating Current

IDD1

240

220

IDD2P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

Precharge Standby Current

in Power Down Mode

IDD2PS CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK =

15ns

IDD2N

Input signals are changed one time during

2clks.

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

Precharge Standby Current

in Non Power Down Mode

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD2NS

IDD3P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

Active Standby Current

in Power Down Mode

IDD3PS CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK =

15ns

Input signals are changed one time during

2clks.

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

IDD3N

Active Standby Current

in Non Power Down Mode

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD3NS

CL=3

260

220

Burst Mode Operating Cur-

rent

tCK ≥ tCK(min), IOL=0mA

All banks active

IDD4

IDD5

CL=2

280

440

240

400

Auto Refresh Current

Self Refresh Current

tRC ≥ tRC(min), All banks active

Nornal

IDD6

CKE ≤ 0.2V

Low Power

SL Power

1.8

Note : 1. IDD1 and IDD4 depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open

2. Min. of tRC (Refresh RAS cycle time) is shown at AC CHARACTERISTICS II

Rev. 0.2 / May. 2004

1...6 7 8910 11 12 13

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与HY5V72DSM-P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V72DSMP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
HY5W26CF-B	ETC	x16 SDRAM	获取价格
HY5W26CF-H	ETC	SDRAM\|4X2MX16\|CMOS\|BGA\|54PIN\|PLASTIC	获取价格
HY5W26CF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W26CF-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W26CF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格

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