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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e6 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V651611LTC-8 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, CMOS, TSOP2 |
|
| HY57V651611TC-10 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V651611TC-7 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V651611TC-8 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V651620B | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V651620BLTC | ETC |
获取价格 |
4Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M |
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| HY57V651620BLTC-10 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V651620BLTC-10P | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V651620BLTC-10PI | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| HY57V651620BLTC-10S | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
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