是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 | 针数: | 54 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.79 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 5.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | 长度: | 22.238 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.194 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.22 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY57V561620CLT-P | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLTP-6 | HYNIX |
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4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLTP-7 | HYNIX |
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4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLTP-8 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLTP-H | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLT-PI | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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HY57V561620CLTP-K | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLTP-P | HYNIX |
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4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLTP-S | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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HY57V561620CLT-S | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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