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HY57V561620CT-HI

更新时间： 2024-11-01 19:53:31

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	86K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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HY57V561620CT-HI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.76
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.238 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V561620CT-HI 数据手册

HY57V561620C(L)T-I

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The HY57V561620C is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require

large memory density and high bandwidth. HY57V561620C is organized as 4banks of 4,194,304x16.

HY57V561620C is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchro-

nized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output

voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated by

a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of read or

write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst read or

write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Single 3.3±0.3V power supply

•

Auto refresh and self refresh

All device pins are compatible with LVTTL interface

8192 refresh cycles / 64ms

JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm of pin

pitch

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of sys-

tem clock

•

Data mask function by UDQM, LDQM

Internal four banks operation

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

Ambient Temperature: -40~85°C

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Power

Organization

Interface

Package

HY57V561620CT-6I

HY57V561620CT-KI

HY57V561620CT-HI

HY57V561620CT-8I

HY57V561620CT-PI

HY57V561620CT-SI

HY57V561620CLT-6I

HY57V561620CLT-KI

HY57V561620CLT-HI

HY57V561620CLT-8I

HY57V561620CLT-PI

HY57V561620CLT-SI

166MHz

133MHz

125MHz

100MHz

166MHz

133MHz

125MHz

100MHz

Normal

4Banks x 4Mbits x16

LVTTL

400mil 54pin TSOP II

Low power

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / June 2003

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V561620CT-K	HYNIX	获取价格	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620CT-KI	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY57V561620CT-P	HYNIX	获取价格	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620CTP-6	HYNIX	获取价格	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
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HY57V561620CTP-8	HYNIX	获取价格	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620CTP-H	HYNIX	获取价格	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620CT-PI	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY57V561620CTP-K	HYNIX	获取价格	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
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