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HY57V28820ALT

更新时间: 2024-02-26 03:20:52
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 254K
描述
16Mx8|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M

HY57V28820ALT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.9访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY57V28820ALT 数据手册

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HY57V28820A  
Revision History  
Revision 1.1 (Dec. 2000)  
Eleminated -10 Bining product.  
Changed DC Characteristics-ll.  
- tCK  
to 15ns from min in Test condition  
to 120mA from 110mA  
- -K IDD1  
- -K IDD4 CL2 to 120mA from 100mA.  
- -K IDD5  
to 240mA from 220mA.  
- -S IDD4 CL2 to 90mA from 100mA  
Added Burst-Read-Single-Write commend in Commend Truth Table  
1.2 : Hynix Change  
1.3 : Burst read single write mode correction  
Rev. 1.3/Aug. 01  
1

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Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
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